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第一章 表面的原子结构 (D.汉尼曼) 1

Ⅰ.引言 1

Ⅱ.表面清洁度 2

A.实际表面和清洁表面 2

B.真空 4

Ⅲ.清洁表面的制备方法 6

A.高温热处理 6

B.离子轰击加退火(IBA) 7

C.真空解理 8

D.蒸发层 8

E.场致蒸发 9

F.小结 9

A.引言 10

Ⅳ.测定表面结构的实验方法 10

B.低能电子衍射 11

C.低能电子衍射理论 16

D.反射式高能电子衍射 23

E.拼合技术 26

F.关于结构的表面态证据 34

G.自电子顺磁共振的结构证据 40

Ⅴ.结构的一般理论 50

A.表面能量 51

B.特定模型计算 54

C.一般的双中心近似 59

Ⅵ.半导体清洁表面的结构 62

A.解理的锗和硅 62

B.退火的锗和硅表面 66

C.一览表 77

D.金刚石 80

E.Ⅲ-V族化合物 80

F.其它材料 87

Ⅶ.俄歇电子能谱(AES) 88

A.俄歇峰的形状 92

B.俄歇电子产额 94

C.检测方法 96

Ⅷ.离化谱和出现电势谱 101

参考文献 102

第二章 表面态理论 R．O琼斯 108

Ⅰ.引言 108

Ⅱ.线性链近自由电子(NFE)模型中的表面态 109

A.表面附近的电子态 109

B.近自由电子近似的复数能带结构和表面态 110

C.表面态的起源和占据率 115

D.模型的讨论 117

E.特殊情况——马蒂厄势 118

Ⅲ.线性链的紧束缚体系 119

A.紧束缚模型 119

B.表面态数目的极限 121

C.有关的一维计算 122

D.关于术语的一些评论 123

IV.能带结构及其计算方法 124

A.k为复数的能带——复数能带结构 125

B.平面的不连续性 126

C.复数能带结构——计算的结果 127

D.表面态的波函数 130

E.格林函数法 132

F.其它方面的表面态 135

V.紧束缚法 136

A.本征函数展开式 137

B.格林函数(豫解式)法 138

C.格林函数的进一步应用 139

D.马德伦势法 141

Ⅵ.计算结果 142

A.能带结构的计算方法 143

B.近似的能带衔接方法 144

C.利用近似方法的结果 149

D.紧束缚方法的结果 152

E.其它半导体的结果 154

F.带有氧化层的表面 155

G.表面态和表面结构 156

Ⅶ.结束语 157

追记(1974年6月) 158

参考文献 159

第三章 表面空间电荷层 F．伯兹 162

I.引言 162

A.表面层的由来 162

B.假设和单位 163

Ⅱ.平衡状态时的表面空间电荷层 164

A.能带图和载流子密度 164

B.电场、电荷和电势的分布 170

C.表面过剩 177

Ⅲ.快表面态 181

A.引言 181

B.脉冲场效应 182

C.平衡状态下的表面态 185

D.快态的弛豫时间 190

Ⅳ.表面层电导 197

A.引言 197

B.表面电导率随势垒高度和表面电荷的变化(略去表面散射) 198

C.表面迁移率 201

V.表面的微分电容和阻抗 207

A.低频微分电容 207

B.中频和高频时的表面阻抗 213

Ⅵ.表面复合 221

A.引言 221

B.表面复合理论 222

C.准费米能级 229

A.基本方程 232

Ⅶ.表面光电压 232

B.过剩载流子对表面势的影响 234

Ⅷ.表面沟道 237

A.用于表面研究的均匀沟道 237

B.反向偏压下二极管中的表面沟道 243

C.MOS晶体管的沟道 245

参考文献 247

第四章 吸附理论 S．Roy 莫里森 249

I.引言 249

A.物理吸附 250

B.两类极端的化学吸附，离子吸附和化学键合 251

C.化学吸附的激活能 254

D.半导体空间电荷层对离子吸附的影响 258

E.吸附等温线 261

A.引言 264

Ⅱ.吸附物的表面态理论 264

B.离子吸附物的表面态描述 265

C.表面态模型中的吸附和脱附 268

D.表面态模型中吸附物和吸附剂的局域相互作用 269

E.二当量吸附物 274

Ⅲ.举例 277

A.无电子转移的吸附 277

B.有电子转移的吸附 281

Ⅳ.非平衡状态 284

A.不挥发一当量吸附物上的表面复合 285

B.吸附物对载流子的陷阱效应 288

C.光分解和光催化 290

D.光致吸附和光致脱附 294

E.来自染料的电子或空穴注入 296

参考文献 298

第五章 技术和测量 C.E.里德 C.G.斯科特 301

Ⅰ.引言 301

Ⅱ.光电方法 304

A.光电发射 304

B.表面光电压 316

C.接触电势差 318

D.表面光电压谱 321

E.电子束技术 323

F.光电导率 324

Ⅲ.光学方法 327

A.表面吸收和表面反射 327

B.椭圆仪法 331

A.场效应 332

Ⅳ.电学方法 332

B.电导法 343

C.表面电容 345

V.磁学方法 355

A.磁场电效应 355

B.电子顺磁共振 357

参考文献 357

第六章 锗硅清洁表面的化学性质和物理性质 F.迈耶 M.J.斯巴纳 361

Ⅰ.引言与历史简介 361

Ⅱ.用于解释实验结果的一些概念 363

A.表面的形成 363

B.表面态和场效应 365

C.吸附与热力学 371

A.低能电子衍射 385

Ⅲ.硅、锗清洁表面的表面结构 385

B.从表面的原子结构来解释LEED图样 390

IV.表面原子的悬挂键 394

A.室温下的化学吸附反应 395

B.悬挂键和表面态 397

C.对表面态的直接观察 399

D.表面态的跃迁 409

E.电学测量 416

F.Si(111)面的表面态密度模型 422

V.吸附层 426

A.晶面的特性 428

B.锗、硅清洁表面上氧的吸附 428

C.硅、锗的氧化 440

D.H2O的吸附 443

E.NH3的吸附 445

F.碱金属原子的吸附 447

VI.结束语 455

参考文献 456

第七章 Ⅱ-Ⅵ族和Ⅲ-V族化合物材料 C.G.斯科特 C.E.里德 462

Ⅰ.引言 462

Ⅱ.Ⅱ-Ⅵ族化合物 466

A.硫化镉 467

B.硒化镉 503

C.碲化镉 515

D.氧化锌 518

E.硫化锌和硒化锌 548

F.碲化锌 550

Ⅲ.Ⅲ-Ⅴ族化合物 552

A.锑化铟 554

B.砷化镓 560

C.砷化铟 568

D.磷化镓 570

E.其它Ⅲ-Ⅴ族化合物 573

Ⅳ.结束语 578

参考文献 579

第八章 气体对Ⅳ-Ⅵ族半导体薄膜的影响 J.N.泽梅尔 588

Ⅰ.引言 588

Ⅱ.材料的制备 589

Ⅲ.结果 593

A.一般性考虑 593

B.样品的制备 595

C.电阻率和霍耳系数 597

D.动态观测 607

F.合金 615

E.温度效应 615

Ⅳ.对理论及其有关问题的讨论 618

V.暂时的结论 627

参考文献 628

第九章 表面态对半导体器件的影响 K.H.赞宁格 631

Ⅰ.引言 631

A.概述 631

B.硅-二氧化硅界面 635

Ⅱ.金属-氧化物-半导体(MOS)器件 638

A.引言 638

B.MOS 电容 639

C.M0S 晶体管 645

D.双介质电荷存贮单元(DDC) 656

E.蓝宝石上外延硅(SOS)器件 658

F.电荷耦合器件(CCD) 660

Ⅲ.双极型器件 669

A.引言 669

B.栅控P-ｎ结二极管 669

C.p-n结二极管 672

D.p-n结晶体管 675

E.多层p-n结器件 677

Ⅳ.集成电路 678

A.概论 678

B.隔离 680

Ⅴ.其它半导体器件 682

A.光电子器件 682

B.微波器件 687

参考文献 689

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