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第一章 半导体表面空间电荷层的基本性质 1

1.1 表面空间电荷层及其电场、电荷密度和电容 1

1.2 表面空间电荷层的六种基本状态 8

1.3 表面过剩载流子浓度、表面电导、沟道电导 19

1.4 表面散射和表面迁移率 26

1.5 表面量子化效应 31

第二章 MOS结构的电容-电压特性 36

2.1 用近似方法分析理想MOS结构的电容-电压特性 37

2.2 实际MOS结构的电容-电压特性 44

2.3 不均匀掺杂衬底MOS结构的电容-电压特性 55

2.4 禁带中深能级对MOS结构电容-电压特性的影响 62

2.5 MOS结构电容-电压特性的几种理论模型 67

第三章 硅-二氧化硅系统的电荷和陷阱 73

3.1 二氧化硅层中的可动离子电荷 73

3.3 硅-二氧化硅界面的界面陷阱电荷 85

3.4 氧化物陷阱电荷 97

3.5 二氧化硅层上的离子 97

4.1 硅-二氧化硅界面过渡层的微观结构 103

第四章 硅-二氧化硅界面的结构、杂质和缺陷 103

4.2 硅-二氧化硅界面杂质的性质 104

4.3 硅-二氧化硅界面附近的缺陷 110

第五章 半导体表面电学测量 122

5.1 用MOS结构高频电容-电压特性测量界面电荷 122

5.2 用MOS结构电容-电压特性确定导电类型，测量硅衬底杂质浓度与杂质浓度分布 132

5.4 用离子电流法测量二氧化硅层中的可动离子密度 144

5.5 用准静态电容-电压特性测量界面陷阱密度 147

5.6 用交流电导法测量界面陷阱密度 154

6.1 非平衡pn结的表面空间电荷层与栅控二极管 162

第六章 硅-二氧化硅界面对半导体器件参数的影响 162

6.2 半导体表面对pn结反向电流的影响 165

6.3 半导体表面对晶体管参数hFE的影响 169

6.4 表面电场对pn结击穿电压的影响和击穿电压蠕变现象 173

6.5 半导体表面对MOS器件参数的影响 181

附录 187

附录一 符号表 187

附录二 物理常数表 192

附录三 硅、二氧化硅的重要性质(27℃) 192

附录四 习题 193

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