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目录 1

第一章 绪论 1

§1.1概述 1

§1.2离子注入技术的发展和展望 1

§1.3离子注入技术的特点和在半导体器件制造中的应用 3

第二章 射程分布理论 5

§2.1简单的射程分布理论 6

§2.2沿着路径测量的射程分布 17

§2.3非晶靶中浓度分布的应用实例 29

§2.4理论与实验的比较 35

§2.5单晶靶中的射程分布理论 36

第三章 背散射技术与沟道效应 52

§3.1卢瑟夫背散射与背散射谱 52

§3.2用背散射测量杂质浓度分布 56

§3.3利用沟道效应分析注入层损伤 67

§3.4用沟道技术测定杂质的晶格位置 81

第四章 能量淀积分布理论 86

§4.1离子与固体相互作用的基本概念 86

§4.2简单的级联移位理论 91

§4.3低能注入离子在固体中的能量淀积空间分布 95

§4.4高能注入离子在固体中的能量淀积空间分布 104

第五章 辐射损伤和退火 112

§5.1辐射损伤 112

§5.2形成非晶层的条件和实验结果 114

§5.3注入层的损伤分布 119

§5.4热退火 123

§5.5激光退火 136

第六章 增强扩散 147

§6.1增强扩散的概念 147

§6.2增强扩散实验及讨论 152

§6.3多元扩散 168

§7.1电特性测试 177

第七章 离子注入层特性的测量与分析 177

§7.2载流子浓度分布 187

§7.3杂质浓度分布的测量 200

§7.4注入层损伤的考察和分析 209

第八章 离子注入技术在双极器件和集成电路中的应用 223

§8.1离子注入在半导体器件和集成电路中应用的特点 223

§8.2离子注入双极三极管 224

§8.3双注入高速低功耗ECL门电路 234

§8.4集成注入逻辑电路 235

§8.5高能离子注入埋栅三极管 237

§8.6离子注入电荷耦合器件（CCD） 237

§8.7用离子注入制备高电阻 240

§8.8离子注入技术在其它电路中的应用 243

第九章 离子注入MOS电路 247

§9.1MOS场效应晶体管简介 247

§9.2离子注入自对准MOS场效应晶体管 249

§9.3离子注入技术在MOS集成电路中的应用 251

§9.4离子注入技术在MOS电路上应用举例 259

第十章 化合物半导体离子注入 269

§10.1化合物半导体离子注入的特点 269

§10.2退火保护 274

§10.3化合物半导体的离子掺杂 278

§10.4双注入的效果 283

§10.5离子注入化合物半导体的损伤 285

§10.6离子注入GaAs场效应器件和大规模高速集成电路 293

§10.7化合物半导体的质子轰击和器件隔离 296

§10.8氧离子注入GaAs 300

§10.9其它化合物半导体中的离子注入 304

第十一章 离子注入在其他方面的应用 311

§11.1离子注入集成光学 311

§11.2金属中的离子注入 316

§11.3离子注入在超导中的应用 322

附录 328

后记 364

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