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绪论 1

第1章 硅和锗的化学制备 4

1-1 硅和锗的物理化学性质 4

1-2 高纯硅的制备 6

1-3 锗的富集与提纯 13

第2章 区熔提纯 16

2-1 分凝现象与分凝系数 16

2-2 区熔原理 20

2-3 锗的区熔提纯 28

第3章 晶体生长 30

3-1 晶体生长理论基础 30

3-2 熔体的晶体生长 46

3-3 硅、锗单晶生长 52

第4章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷 59

4-1 硅、锗晶体中杂质的性质 59

4-2 硅、锗晶体的掺杂 62

4-3 硅、锗单晶的位错 78

4-4 硅单晶中的微缺陷 84

第5章 硅外延生长 87

5-1 外延生长概述 87

5-2 硅衬底制备 89

5-3 硅的气相外延生长 93

5-4 硅外延层电阻率的控制 104

5-5 硅外延层的缺陷 109

5-6 硅的异质外延 113

第6章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 118

6-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的特性 118

6-2 砷化镓单晶的生长方法 124

6-3 砷化镓单晶中杂质的控制 131

6-4 砷化镓单晶的完整性 135

6-5 其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备 137

第7章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长 141

7-1 气相外延生长（VPE） 141

7-2 金属有机物气相外延生长（MOVPE） 144

7-3 液相外延生长（LPE） 152

7-4 分子束外延生长（MBE） 158

7-5 化学束外延生长（CBE） 162

7-6 其他外延生长技术 164

第8章 Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体 170

8-1 异质结与晶格失配 171

8-2 GaAlAs外延生长 172

8-3 InGaN外延生长 176

8-4 InGaAsP外延生长 177

8-5 超晶格与量子阱 182

8-6 应变超晶格 188

8-7 能带工程 189

第9章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 192

9-1 Ⅱ-Ⅵ族化合物单晶材料的制备 192

9-2 Ⅱ-Ⅵ族化合物的点缺陷与自补偿现象 198

9-3 Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料 201

9-4 Ⅱ-Ⅵ族超晶格材料 205

第10章 低维结构半导体材料 207

10-1 低维结构半导体材料的基本特性 207

10-2 低维结构半导体材料的制备 208

10-3 低维结构半导体材料的现状及未来 212

第11章 氧化物半导体材料 214

11-1 氧化物半导体材料的制备 214

11-2 氧化物半导体材料的电学性质 217

11-3 氧化物半导体材料的应用 220

第12章 照明半导体材料 225

12-1 LED的基本结构 226

12-2 外延生长GaN衬底材料的选择 226

12-3 外延生长的发展趋势 228

12-4 外延片结构改进 230

第13章 其他半导体材料 233

13-1 窄带隙半导体 233

13-2 黄铜矿型半导体 235

13-3 非晶态半导体材料 236

13-4 有机半导体材料 237

参考文献 240

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