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概述 1

硅集成电路工艺简介 1

一、清洗工艺 4

二、氧化工艺 4

三、扩散工艺 5

四、离子注入工艺 5

五、光刻工艺 6

六、蒸发工艺 7

七、溅射工艺 8

八、等离子体化学气相沉积（PECVD）工艺 8

实验一 清洗工艺 9

一、引言 9

二、实验目的 9

三、实验原理 9

四、实验内容 15

五、实验步骤 15

六、思考题 16

实验二 硅的热氧化工艺 17

一、引言 17

二、实验目的 17

三、实验原理 17

四、实验内容 25

五、实验步骤 25

六、思考题 26

实验三 硼扩散工艺 27

一、引言 27

二、实验目的 27

三、实验原理 27

四、实验内容 32

五、实验步骤 33

实验四 离子注入工艺 34

一、引言 34

二、实验目的 34

三、实验原理 35

四、实验内容 37

五、实验步骤 37

六、思考题 41

实验五 真空蒸发工艺 42

一、引言 42

二、实验目的 42

三、实验原理 42

四、实验内容 49

五、实验步骤 50

六、思考题 51

实验六 溅射工艺 52

一、引言 52

二、实验目的 52

三、实验原理 52

四、实验内容 57

五、实验步骤 57

六、思考题 58

实验七 等离子体化学气相沉积（PECVD）工艺 59

一、引言 59

二、实验目的 59

三、实验原理 59

四、实验内容 64

五、实验步骤 64

六、思考题 65

实验八 光刻工艺 66

一、引言 66

二、实验目的 66

三、实验原理 66

四、实验内容 74

五、实验步骤 74

六、思考题 74

实验九 湿法腐蚀工艺 75

一、引言 75

二、实验原理 75

三、实验内容 80

四、实验步骤 80

五、思考题 80

实验十 化学机械抛光（CMP）工艺 81

一、引言 81

二、实验目的 81

三、实验原理 81

四、实验内容 84

五、实验步骤 84

六、思考题 84

参考文献 85

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