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编者序 1

硫化铅薄膜的光电导 1

硫化铅光电导的势垒理论 29

半导体薄膜的光电导理论 57

硫化铅光电导膜的噪音、时间常数及霍耳效应的研究 76

硫化铅光敏电阻的噪音的研究 93

在硫化铅薄膜和光敏电阻上的氧化物的形成 109

硫化铅薄膜的敏化作用 117

硫化铅的本征光吸收和辐射复合寿命 129

室温与4.2°K之间 PbS、PbSe和PbTe中电子和空穴的迁移率 139

硒化铅的光电导--实验部分 160

硒化铅的光电导--灵敏度与膜厚度和吸收系数的关系的理论 177

硒化铅的光电导--敏化机构的理论 190

硒化铅的光电导 201

硒化铅和磅化铅薄膜在低温下内光电效应的若干特性 218

锑化铟的光电导效应和光磁电效应 230

锑化铟的光效应 248

n型锑化铟单晶的光磁电效应 261

用锑化铟制成低温光电导探测器 265

新型锑化铟红外探测器 270

高灵敏度的晶体红外探测器 276

锑化铟合金型p-n结光电池的制造 289

根据光磁电效应制成的锑化铟红外光电元件 293

锑化铟光磁电红外探测器 295

红外光敏电阻的工作性能 316

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