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第一章　电子学和工艺学 1

1.1　半导体材料物理 2

1.2　晶体中的自由载流子 24

1.3　半导体工艺学 36

1.4　器件：集成电路电阻 61

小结 68

习题 70

第二章　金属-半导体接触 76

2.1 电子系统中的平衡 76

2.2　理想化的金属-半导体结 80

2.3　电流-电压特性 91

2.4　非整流（欧姆）接触 100

2.5　表面效应 106

2.6　金属-半导体器件：肖特基二极管 112

小结 116

习题 117

第三章　pn结 123

3.1　缓变杂质分布 124

3.2　pn结 130

3.3　反向偏置pn结 144

3.4　结击穿 150

3.5　器件：结型场效应晶体管 160

小结 169

习题 171

第四章　pn结电流 177

4.1　连续性方程 177

4.2　产生与复合 180

4.3　pn结的电流-电压特性 192

4.4 电荷存贮和二极管瞬变过程 209

4.5　器件：集成电路二极管 220

小结 227

习题 228

第五章　双极晶体管Ⅰ：基本操作原理 236

5.1　晶体管作用 237

5.2　有效偏压 246

5.3　晶体管开关 257

5.4　埃伯斯-莫尔模型 263

5.5　器件：平面双极放大和开关晶体管 270

小结 277

习题 279

第六章　双极晶体管Ⅱ：局限性和模型 284

6.1　集电极偏压变化效应（厄尔利效应） 285

6.2　低、高发射极偏压效应 290

6.3　基极渡越时间 307

6.4　电荷控制模型 311

6.5　小信号晶体管模型 326

6.6　计算机模拟双极晶体管模型 335

6.7　器件：pnp晶体管 341

小结 350

习题 352

第七章　氧化物-硅系统的特性 361

7.1　MOS结构 362

7.2　MOS系统的电容 371

7.3　MOS电子学 375

7.4　氧化物和界面电荷 383

7.5　pn结的表面效应 390

7.6　MOS电容器和电荷耦合器件（CCD） 395

小结 401

习题 404

第八章　绝缘栅场效应晶体管 409

8.1 电流-电压特性 411

8.2　IGFET参数 424

8.3　MOS集成电路 434

8.4　二级近似考虑 441

8.5 器件：离子注入IGFET 450

小结 457

习题 460

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