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半导体的电子结构与性能
（英）W.施罗特尔（Wolfgang Schroter）主编；甘骏人，夏冠群等译2001 年出版530 页ISBN：7030075250本卷主要介绍半导体的电子结构与性能。本卷共11章。第1章至第4章主要阐述半导体中的能带理论、光学性质和电荷输送，本征点缺陷及深中心；第5章至第8章叙述平衡、非平衡，扩散"和淀积，位错，半导体中的晶界及界面；第9...
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半导体物理学 第6版
刘恩科，朱秉升等编著2003 年出版449 页ISBN：7505389858本书主要介绍半导体物理基础知识。全书共13章，主要内容有：半导体的晶格结构与电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面—......
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半导体物理学 第4版
刘恩科等编1994 年出版372 页ISBN：7118011959本书较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共13章，主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面......
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半导体物理性能手册 第2卷 上 英文
（日）足立贞夫主编2014 年出版232 页ISBN：9787560345161本册由9章组成,介绍介绍Ⅲ-Ⅴ族 半导体化合物，10.纤锌矿型氮化镓，11.立方氮化镓，12.磷化镓(差距)，13.砷化镓(砷化镓)，14.锑化镓(GaSb)，15.氮化铟(酒店)，16.磷化铟(InP)，17.砷化铟(成)，18.锑化铟(InSb)，共9种化合物的...
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半导体物理性能手册 第3卷 上 英文
（日）足立贞夫主编2014 年出版253 页ISBN：9787560345185本册由8章组成,介绍10立方硫化镉(c cd)，11纤锌矿型硫化镉(wcd)，12立方硒化镉(c-CdSe)，13纤锌矿硒化镉(w-CdSe)，14碲化镉(CdTe)，15立方硫化汞(β-HgS)，16汞硒化物(HgSe)，17碲化汞(HgTe)，8种化合物的结构属性、热性能...
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半导体光学和输运现象 影印版
W.SchaferM.Wegener著2011 年出版495 页ISBN：9787030313935本书是一本半导体物理方面的教科书，写给研究生和研究人员，它属于Springer的AdvancedTextsinPhysics书系，2002年出版。假定读者已有固体物理学的基础知识，作者全面介绍了半导体光学和输运现象领域的基本理论和理...
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几类半导体模型的理论分析
董建伟著2017 年出版145 页ISBN：9787564352974本书为专著，共分五章。前四章研究四类常见的半导体宏观量子模型：量子漂移-扩散模型、量子能量输运模型、量子Navier-Stokes方程组和双极量子流体动力学模型。我们在一维有界区间上证明了量子漂移-扩散稳态模...
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