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第1章 引论 1

1.1 研究意义 3

1.2 光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器的发展历程与研究现状 6

1.3 光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器的基本原理、结构与材料体系 19

1.4 光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器的应用 25

参考文献 31

第2章 半导体激光泵浦源技术 39

2.1 半导体激光器简介 40

2.2 半导体激光器工作原理 41

2.3 半导体激光器的工作特性 42

2.4 半导体激光器的典型封装结构 45

2.5 半导体激光束泵浦整形技术 46

参考文献 49

第3章 半导体增益介质的设计与制备 51

3.1 基本理论 51

3.2 半导体增益介质结构设计 59

3.3 半导体增益介质外延片的生长与测试 73

3.4 几种典型的半导体增益介质结构 82

参考文献 87

第4章 半导体增益介质外延片的后工艺处理 90

4.1 半导体增益介质外延片衬底减薄工艺研究 90

4.2 半导体增益介质芯片抛光工艺研究 99

4.3 半导体增益介质芯片的铟焊封装工艺 106

4.4 半导体增益介质芯片表面键合工艺研究 108

4.5 本章小结 111

参考文献 111

第5章 光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器的热管理 114

5.1 热分析基础 114

5.2 光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器的废热产生机理与热分析模型 122

5.3 光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器的热特性分析 125

参考文献 149

第6章 光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器的理论模拟与输出特性 151

6.1 光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器的理论模型 151

6.2 光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器的数值模拟 153

6.3 光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器的等价腔分析 155

6.4 高斯分布光束泵浦垂直外腔面发射半导体激光器实验研究 159

6.5 环形光泵浦垂直外腔面发射半导体激光实验研究 167

6.6 光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器声光调Q实验研究 168

6.7 本章小结 169

参考文献 170

第7章 光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器腔内倍频技术 171

7.1 倍频理论 171

7.2 相位匹配技术 174

7.3 几种典型倍频晶体 180

7.4 光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器腔内倍频实验研究 183

7.5 本章小结 185

参考文献 185

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